晶圆清洗：晶圆清洗是超纯水使用量最大的环节之一。每一块晶圆在多个制造步骤中都需要进行清洗，以去除表面上的颗粒物、化学残留物和其他污染物。这些清洗步骤包括初始清洗、工艺中间清洗和最终清洗等，确保晶圆在各个工艺环节之间保持洁净。

蚀刻后清洗：在蚀刻过程中，化学物质会选择性地去除晶圆上的特定材料，之后的清洗步骤用超纯水冲洗蚀刻残留物，以防止任何残余物质影响下一步工艺。

光刻胶去除：光刻工艺中，光刻胶用于掩膜和图案转移。在曝光和显影之后，需要去除光刻胶，通常采用化学剂加超纯水清洗，以确保表面没有任何残留。

化学机械抛光（CMP）后的清洗：CMP 工艺用于平整晶圆表面，使其达到纳米级的平整度。抛光后，超纯水用于冲洗抛光液和抛光产生的残留物，确保表面不受污染。

冷却和稀释：在某些化学工艺中，超纯水用于冷却反应器或稀释高浓度的化学溶液，防止工艺设备因高温或高浓度化学品而受损

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